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“HBM 대비 밀도 4배” 포스텍, 10층 이상 적층 기술 개발 - 서울경제
AI 요약
포스텍 연구진이 기존 고대역폭 메모리(HBM) 기술 대비 집적도를 4배 높인 10층 이상 적층 기술을 개발했다고 서울경제는 보도했습니다. 이 기술은 3D 적층 공정에서 웨이퍼를 관통하는 구멍(TSV)을 뚫는 대신, 웨이퍼를 얇게 만든 후 적층하는 방식으로, 기존 HBM의 물리적 한계를 극복할 잠재력을 지닙니다. 특히, 칩 간 전기 신호 지연을 최소화하고 전력 효율을 높여 차세대 AI 반도체 성능 향상에 기여할...