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삼성전자, ‘3D 적층 트랜지스터’ 첫 구현… 로직 한계 수직으로 타개 - 서울경제
AI 요약
삼성전자가 기존 반도체 기술의 물리적 한계를 극복하기 위해 3차원(3D) 적층 트랜지스터 구조를 세계 최초로 구현했습니다. 이는 기존 평면 구조의 트랜지스터가 더 이상 미세화되기 어려운 상황에서, 수직으로 쌓아 올리는 방식을 통해 집적도를 높이고 성능을 향상시키려는 시도입니다. 이번 기술은 기존의 게이트-올-어라운드(GAA) 기술을 넘어서는 새로운 개념으로, 로직 반도체 성능 향상의 새로운 돌파구를 마련할 것...